您现在的位置是:热点 >>正文
重大突破!芯片光刻胶关键技术被攻克:原材料全部国产 配方全自主设计
热点857人已围观
简介快科技10月25日消息,据华中科技大学官微消息,近日,该校武汉光电国家研究中心团队,在国内率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方,助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。据介绍,其研发的T150A光刻胶系列产 ...
快科技10月25日消息,重大自主据华中科技大学官微消息,突破近日,芯片该校武汉光电国家研究中心团队,光刻攻克在国内率先攻克合成光刻胶所需的胶关键技原料和配方,助推我国芯片制造关键原材料突破瓶颈。术被设计
据介绍,原材其研发的料全T150A光刻胶系列产品,已通过半导体工艺量产验证,部国实现了原材料全部国产,产配配方全自主设计,重大自主有望开创国内半导体光刻制造新局面。突破
公开资料显示,芯片光刻胶是光刻攻克一种感光材料,用于芯片制造的胶关键技光刻环节,工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时,会在晶圆上涂上光刻胶,在掩膜版上绘制好电路图。
当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光,经过一系列处理后,晶圆上就会得到所需的电路图。
由于光刻胶是芯片制造的关键材料,国外企业对其原料和配方高度保密,目前我国所使用的光刻胶九成以上依赖进口。
武汉光电国家研究中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。
相较于国外同系列某产品,T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm,且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优,其对刻蚀工艺表现更好,通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀,下层介质的侧壁垂直度表现优异。
团队负责人表示:“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点,最终获得具有自主知识产权的配方技术,这只是个开始。我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶,致力于突破国外卡脖子关键技术,为国内相关产业带来更多惊喜。”
Tags:
相关文章
平均减重17%!减肥药司美格鲁肽正式在中国上市
热点快科技11月17日消息,诺和诺德宣布,全球首个且目前唯一用于长期体重管理的GLP-1RA胰高糖素样肽-1受体激动剂)周制剂诺和盈用于长期体重管理的司美格鲁肽注射液)正式在中国上市。诺和盈以其卓越的减重 ...
【热点】
阅读更多海能达4.8亿要约收购加拿大公司100%股权完成
热点海能达(002583)早间公告称,公司境外全资孙公司Hytera Project Corp.(以下简称“加拿大孙公司”)于北京时间2017年7月20日完成收购Norsat Internati ...
【热点】
阅读更多无视发审委关联交易质疑 索通发展再次带病“硬闯”IPO
热点“记吃不记打”的问题再次出现在拟上市公司身上。近日,索通发展在证监会官网披露招股说明书,这也是其第三次发布招股说明书。而其中关于和大股东的关联交易再次引起了北京商报记者的注意: ...
【热点】
阅读更多